LCMXO3L-640E-5MG121I【FPGA】LCMXO3L-640E-6MG121I采用65nm非易失性低功耗工艺设计
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2024-05-30 02:17:55
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LCMXO3L-640E-5MG121I【FPGA】LCMXO3L-640E-6MG121I采用65nm非易失性低功耗工艺设计

MachXO3设备系列是一个超低密度系列,支持最先进的可编程桥接和IO扩展。它具有突破性的IO密度和最低的每IO成本。设备IO功能集成了对最新行业标准IO的支持。

121CSFBGA(明佳达电子)

1、LCMXO3L-640E-5MG121I

LAB/CLB 数:80

逻辑元件/单元数:640

总 RAM 位数:65536

I/O 数:100

电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V

安装类型:表面贴装型

工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ)

封装/外壳:121-VFBGA,121-CSFBGA(6x6)

2、LCMXO3L-640E-6MG121I

LAB/CLB 数:80

逻辑元件/单元数:640

总 RAM 位数:65536

I/O 数:100

电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V

安装类型:表面贴装型

工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ)

封装/外壳:121-VFBGA,121-CSFBGA(6x6)

芯片介绍:

MachXO3L/LF系列低功耗,即时启动,非易失性pld有五种器件,密度从640到9400查找表(lut)不等。除了基于lutt的低成本可编程逻辑之外,这些器件还具有嵌入式块RAM (EBR),分布式RAM,锁相环(PLLs),预先设计的源同步I/O支持,高级配置支持,包括双启动能力和常用功能的强化版本,如SPI控制器,I2C控制器和定时器/计数器。MachXO3LF设备还支持用户闪存(UFM)。这些特性允许这些设备用于低成本、高容量的消费者和系统应用。

MachXO3L/LF器件采用65nm非易失性低功耗工艺设计。该器件架构具有几个特性,例如可编程的低摆差分I/O和动态关闭I/O组、片上锁相环和振荡器的能力。这些功能有助于管理静态和动态功耗,从而为所有家庭成员提供低静态功率。

应用——

消费电子产品

计算和存储

无线通信

工业控制系统

汽车系统

注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!

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