验证LPDDR4x 已经有1年,最近把放在onenote的资料整合一下。供后续自己查看,也方便其他有需要的同学上手。
第四代双倍速率同步动态随机存取记忆体(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM)。
DDR发展到DDR4,频率更高、电压更低的同时卻也让反应时间不断变大,改变着内存子系统。而DDR4最重要的使命是提高频率和带宽,每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,拥有高达4266MT/s的频率,内存容量最大可达到128GB,运行电压正常可降至1.1V~1.2V。具体详见附录—链接1(实际项目的板级应用中,无论什么原因,无论S家还是C家的IP,最终DDR4/LPDDR4/LPDDR4x都达不到4266MT/S)
LPDDR4 就是Low Power DDR4的缩写,顾名思义,低功耗的DDR4,也叫移动DDR4.
LPDDR的运行电压(工作电压)相比DDR的标准电压要低,从第一代LPDDR到如今的LPDDR4,每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的带宽,输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps,电压降到了1.1V。
比LPDDR4的电压更低,把电压降低50%,电压从1.1V降低到0.61V。
从图1,可以看出3者的区别除了功耗在降低外,速率LPDDR4x > LPDDR4 > DDR4. 咨询多家IP公司,实际上能单IP达到4267MT/S的只有LPDDR4x。
图1- DDR 速率
图2- LPDDR速度
主要是价格和容量,决定了 DDR 在市场的应用定位。详细可查看可查看链接3(跟其他存储介质的区别)。
图3- DDR的应用结构
后续,我们围绕3方面继续探讨:
链接:
1.DDR4:https://zh.m.wikipedia.org/zh/DDR4_SDRAM
2.LPDDR4:https://zh.m.wikipedia.org/zh/%E7%A7%BB%E5%8A%A8DDR
3.多种存储介质的区别:浅谈ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别
非常推荐的基础文档:
systemverilog.io - SystemVerilog.io
DDR4 design guide
https://media-www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/technical-note/dram/tn_4003_ddr4_network_design_guide.pdf?rev=2be2d83e1c7d44ee9e72e3a2163f58b7
https://en.wikipedia.org/wiki/LPDDR
https://www.jedec.org/sites/default/files/docs/JESD209-4.pdf
Understanding DDR SDRAM memory choices - Tech Design Forum Techniques
https://www.avnet.com/wps/portal/ebv/products/new-products/npi/2020/micron-lpddr4/
DDR 颗粒
http://files.pine64.org/doc/datasheet/rockpro64/SM512M32Z01MD2BNP(200BALL).pdf