存储器

• ram
• rom
  • rom: 不能编程
  • prom: 可以写入一次
  • eprom: 多次擦写, 需要在紫外线照一下
  • eeprom: 任意修改
    • 狭义EEPROM:
    • 广义EEPROM: flash
      • nor flash: 字节读, 块擦除
      • nand flash: 页读取, 块擦除

ROM&RAM

EEPROM

• 可随机访问/修改任意字节, 可向每个bit写入0/1, 掉电不丢失
• 电路复杂成本高, 通常几k字节, 很少超过512k

flash

• nor flash

  • 数据线与地址线分开, 像ram一样随机寻址, 可读取任一字节(无页), 按块擦除
  • 小容量(2~12M居多)
  • 损坏无法使用
  • 字节寻址, 程序可在nor flash中运行: 嵌入式系统常用小容量的nor flash存储引导代码, 用大容量的nand flash存放文件系统和内核

• nand flash

  • 数据线与地址线复用, 不能随机寻址, 读取只能按页读取, 按块擦除
  • 读取速度慢, 擦写速度块
  • 数据密度大, 体积小, 成本低
  • 大容量居多
  • 擦除次数是norflash数倍
  • 可标记坏块, 使软件跳过坏块

• flash

• 每页: 256 Byte (2048 bit)

• 每扇区: 16页

• 每块: 16扇区

• 最小擦除单位：扇区

• 可选择擦除单位：扇区、块、全片

• 最大编程（写入）单位：页（ 256 Byte），大于256 Byte则需要循环写入。

• 最小编程（写入）单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte的任意长度字节。

• 未写入时FLASH里面的数据为全1，即0xFF。

• 只能由 1 —> 0 写入，不能由 0 —> 1 写入，即如果已经写入过了，则需要先擦除（擦除后数据变为全1）再写入。

• 示例：0xF0（1111 0000），即高4位可写入，低4位不可写入。

ref

• EEPROM和flash的区别
• 程序存储和运行时的内存分布